DMP6110SVTQ-13

DMP6110SVTQ-13是一款由Diodes Incorporated设计制造的P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽式MOSFET技术。该器件采用紧凑的TSOT-26封装，集成了高性能的功率开关与稳健的电气特性，其核心设计旨在提供优异的导通电阻与开关性能的平衡。其沟槽结构优化了单元密度，有效降低了导通损耗，同时保持了快速的开关响应能力，这对于提升系统效率与功率密度至关重要。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压(Vdss)和7.3A的连续漏极电流(Id)能力，为负载开关、电源路径管理和电机控制等应用提供了充足的电压与电流裕量。其导通电阻(Rds(on))在Vgs=10V、Id=4.5A的条件下典型值仅为105mΩ，这一低导通阻抗特性直接转化为更低的热损耗和更高的系统效率。栅极驱动特性方面，其最大栅源阈值电压(Vgs(th))为3V，确保了与低电压逻辑电平（如3.3V或5V）微控制器的良好兼容性，而最大栅极电荷(Qg)低至17.2nC，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。

在接口与参数层面，DIODES代理提供的技术资料显示，DMP6110SVTQ-13支持高达±20V的栅源电压，增强了其抗栅极噪声干扰的鲁棒性。其输入电容(Ciss)在Vds=30V时最大值为969pF，结合低Qg特性，共同优化了开关速度。器件符合AEC-Q101标准，工作结温范围宽达-55°C至150°C，并采用表面贴装的TSOT-26封装，非常适合在空间受限且可靠性要求高的汽车电子及工业环境中进行自动化生产装配。

基于其稳健的电气规格与封装优势，DMP6110SVTQ-13非常适用于需要高效功率管理的场景。典型应用包括汽车系统中的12V/24V电池负载开关、电机驱动模块、LED照明驱动，以及工业设备中的DC-DC转换器中的同步整流或高侧开关。其AEC-Q101认证使其成为引擎控制单元(ECU)、车身控制模块(BCM)及信息娱乐系统中功率分配单元的可靠选择，在确保系统安全与长期稳定运行的同时，助力实现紧凑、高效的电源架构设计。

• 型号:DMP6110SVTQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:969 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.8W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TSOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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