DMC3730UVT-7

DMC3730UVT-7是一款由Diodes Incorporated推出的AEC-Q101车规级认证的互补型MOSFET阵列。该器件采用先进的工艺技术，在紧凑的TSOT-26封装内集成了一对N沟道和P沟道MOSFET，构成了一个完整的半桥或推挽输出级基础单元。其核心设计旨在实现高效率与高可靠性，通过优化的芯片布局和封装技术，有效降低了寄生参数，为需要快速开关和低损耗的应用提供了理想的解决方案。

该芯片的显著特性在于其优异的电气性能组合。其漏源电压（Vdss）为25V，能够满足多种低压系统的需求。在导通电阻方面，N沟道和P沟道MOSFET分别表现出低至450毫欧和1.1欧姆（@Vgs=4.5V, Id=500mA）的优异性能，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，极低的栅极电荷（Qg最大值分别为1.64nC和1.1nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度，减少了开关过程中的能量损失，特别适合高频PWM控制应用。

在接口与参数层面，DMC3730UVT-7提供了高度的设计灵活性。其连续漏极电流在环境温度下分别可达680mA和460mA，最大功耗为700mW。器件具备宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C），保证了在严苛环境下的稳定运行。其采用表面贴装型SOT-23-6细型封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，也优化了散热性能。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取原装正品和技术支持。

基于其紧凑、高效且可靠的特点，DMC3730UVT-7非常适用于空间受限且对性能要求严苛的汽车电子与工业控制领域。典型应用包括用于电机驱动（如风扇、泵、小型执行器）的H桥电路、电源管理中的负载开关、DC-DC转换器的同步整流部分，以及电池供电设备中的功率路径管理。其车规级认证使其能够无缝集成到车身控制模块、信息娱乐系统、传感器接口等汽车电子系统中，是工程师实现高性能、高可靠性设计的优选功率器件。

• 型号:DMC3730UVT-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TSOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET N/P-CH 25V 0.68A TSOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:N 和 P 沟道互补型
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:25V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):680mA（Ta），460mA（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 500mA，4.5V，1.1 欧姆 @ 500mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:1.64nC @ 4.5V，1.1nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50pF @ 10V，63pF @ 10V
• 功率 - 最大值:700mW
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
• 供应商器件封装:TSOT-26
• 现在可以订购DMC3730UVT-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。