DMPH4013SK3-13

作为Diodes Incorporated旗下符合AEC-Q101标准的汽车级功率器件，DMPH4013SK3-13是一款采用先进沟槽工艺制造的P沟道功率MOSFET。该器件采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装，在紧凑的占位面积内实现了优异的功率处理能力与热性能。其核心设计针对高电流开关应用进行了优化，通过降低导通电阻和栅极电荷，显著提升了系统的整体效率与可靠性。

该MOSFET具备40V的漏源击穿电压（Vdss）和高达55A的连续漏极电流（Id）能力，为负载开关、电机驱动及电源管理电路提供了宽裕的电压与电流余量。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压（Vgs）和10A测试条件下典型值仅为15毫欧，这一低导通阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为67nC，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，使得开关频率可以进一步提升。

在接口与参数方面，DMPH4013SK3-13的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电平为10V，并支持低至4.5V的逻辑电平驱动，增强了设计的灵活性。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，提供了良好的抗栅极噪声能力。器件的工作结温范围极宽，为-55°C至175°C，结合2.1W（Ta）的功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取原厂正品和技术支持。

凭借其汽车级认证（AEC-Q101）和稳健的电气特性，此器件非常适用于对可靠性和效率有高要求的应用场景。典型应用包括汽车电子系统中的电机控制（如风扇、泵、车窗升降）、电池保护与负载开关，以及工业电源中的DC-DC转换器同步整流和OR-ing电源路径管理。其表面贴装形式和良好的热性能也使其成为空间受限且散热条件要求高的现代电子设备的理想选择。

• 型号:DMPH4013SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 55A TO252 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:67 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4004 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 现在可以订购DMPH4013SK3-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。