DMPH6050SFGQ-7

作为一款符合AEC-Q101标准的车规级功率器件，DMPH6050SFGQ-7采用了先进的P沟道MOSFET技术，其核心架构基于优化的沟槽工艺，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能。该器件采用PowerDI3333-8封装，这种紧凑的表面贴装型封装在提供高效散热能力的同时，显著节省了PCB空间，使其非常适合于空间受限的高密度设计。

在电气特性方面，该MOSFET的漏源电压(Vdss)高达60V，能够可靠地工作在多种电源转换与负载开关场景中。其导通电阻(Rds(on))在10V栅极驱动电压、7A漏极电流条件下，最大值仅为50毫欧，这一低阻值特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，器件在25°C环境温度下的连续漏极电流(Id)可达6.1A，而在借助封装良好散热（壳温Tc条件下）时，电流能力可提升至18A，展现了其强大的电流处理潜能。

该器件的栅极驱动设计兼顾了性能与易用性，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，确保了与常见逻辑电平或微控制器IO口的兼容性。最大栅极电荷(Qg)仅为24.1nC @ 10V，结合较低的输入电容(Ciss)，共同促成了快速的开关瞬态和降低的开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。其栅源电压(Vgs)可承受±20V，提供了足够的噪声裕量和驱动可靠性。广泛的DIODES芯片代理网络可确保该器件的稳定供应与技术支援。

凭借-55°C至175°C的宽结温工作范围以及符合汽车级可靠性的认证，DMPH6050SFGQ-7非常适合要求严苛的汽车电子应用，如电机驱动、LED照明控制、电源分配单元(PDU)中的高边开关，以及电池管理系统(BMS)中的保护电路。此外，其优异的性能也使其成为工业电源、DC-DC转换器模块和便携式设备中功率路径管理的理想选择。

• 型号:DMPH6050SFGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.1A（Ta），18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1293 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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