DMTH10H030LK3-13

DMTH10H030LK3-13是一款由Diodes Incorporated设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术，并封装于TO-252-4L（DPAK）表面贴装封装中。该器件专为要求高可靠性和高性能的严苛应用环境而设计，其核心架构基于优化的单元结构，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的良好平衡。其栅极设计能够有效控制电荷，结合稳健的体二极管，确保了在开关过程中具备出色的耐用性和效率。

该MOSFET的显著特性在于其优异的电气参数组合。100V的漏源电压（Vdss）额定值提供了充足的电压裕量，适用于多种中压功率转换场景。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达28A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压（Vgs）和20A漏极电流下最大仅为30毫欧，这一低阻值特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大为3.5V，与标准逻辑电平驱动兼容，而最大栅极电荷（Qg）为33.3nC，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。

在接口与参数方面，该器件采用四引脚TO-252封装，优化了散热和PCB布局。其输入电容（Ciss）在50V Vds下最大为1871pF，是评估开关速度的重要参数。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了较强的抗栅极噪声能力。其工作结温范围极宽，为-55°C至175°C，并且符合AEC-Q101标准，表明其通过了汽车级的可靠性认证，适合在振动、温度循环等恶劣条件下稳定工作。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取相关技术支持和库存信息。

基于其高耐压、大电流、低导通电阻以及汽车级（Automotive, AEC-Q101）的可靠性认证，DMTH10H030LK3-13非常适合于汽车电子系统中的各类应用，如电机驱动（车窗升降器、风扇、泵）、负载开关、DC-DC转换器以及电池管理系统（BMS）中的保护电路。此外，在工业电源、电动工具和高效的AC-DC适配器等需要高效功率开关的场合，它也能发挥关键作用。尽管其零件状态标注为停产，但在一些现有系统维护或特定项目设计中，它仍是一个经过验证的高性能选择。

• 型号:DMTH10H030LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 28A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1871 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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