DMS3016SFG-13

DMS3016SFG-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进工艺制造的N沟道功率MOSFET。该器件集成了肖特基二极管，采用紧凑的PowerDI3333-8（8-PowerVDFN）表面贴装封装，专为高功率密度和高效能应用而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，实现了在逻辑电平门驱动下的优异开关性能，为空间受限的现代电子设备提供了可靠的功率开关解决方案。

该MOSFET的一个关键特性是其极低的导通电阻，在10V Vgs和11.2A Id条件下，Rds(on)最大值仅为13毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。作为逻辑电平门器件，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2.2V，确保其能够被3.3V或5V的微控制器GPIO端口轻松且可靠地驱动，简化了驱动电路设计。同时，其连续漏极电流(Id)在25°C环境温度下高达7A，结合30V的漏源击穿电压(Vdss)，使其能够胜任多种中低电压、大电流的开关任务。集成的肖特基二极管进一步提升了其在同步整流等应用中的反向恢复性能。

在动态参数方面，DMS3016SFG-13在10V Vgs下的总栅极电荷(Qg)为44.6nC，在15V Vds下的输入电容(Ciss)为1886pF，这些参数共同决定了其开关速度与驱动损耗，适合中高频开关应用。其最大功耗为980mW，紧凑的PowerDI3333-8封装具有优异的热性能，有助于将结温控制在安全范围内。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取原厂正品和技术支持。

凭借其低导通电阻、逻辑电平驱动能力以及高电流处理特性，这款MOSFET非常适合应用于DC-DC同步整流转换器、电机驱动控制、负载开关以及电池保护电路等领域。它尤其适用于空间紧张的便携式设备、计算主板、网络设备和消费类电子产品中的电源管理模块，是实现高效、紧凑型电源设计的理想选择。

• Diodes公司完整型号：DMS3016SFG-13
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8
• 系列：-
• FET 类型：MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物!
• FET 功能：逻辑电平门
• 漏源极电压 (Vdss)：30V
• 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：13 毫欧 @ 11.2A，10V
• 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：44.6nC @ 10V
• 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1886pF @ 15V
• 功率 - 最大值：980mW
• 安装类型：表面贴装
• 封装/外壳：8-PowerVDFN
• 供应商器件封装：PowerDI3333-8
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