ZXM61P03FTA

ZXM61P03FTA是Diodes Incorporated推出的一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的P沟道功率器件。其核心架构基于成熟的平面工艺，在紧凑的SOT-23-3封装内实现了优异的电气性能与热性能平衡。该器件设计用于在低至4.5V的栅极驱动电压下即可实现较低的导通电阻，这得益于其优化的单元结构和沟道设计，确保了在开关应用中快速、高效的性能表现。

该MOSFET的功能特点突出体现在其低导通电阻与低栅极电荷的出色组合上。在10V栅源电压（Vgs）和600mA漏极电流（Id）条件下，其导通电阻（Rds(On)）最大值仅为350毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）低至4.8nC @ 10V，这意味着驱动电路所需的开关能量更小，有助于提升系统整体效率并简化栅极驱动设计。器件具备30V的漏源击穿电压（Vdss）和1.1A的连续漏极电流能力，并支持高达±20V的栅源电压，提供了稳健的耐用性。其输入电容（Ciss）最大值也控制在较低水平，有利于实现更快的开关速度。

在接口与关键参数方面，ZXM61P03FTA采用标准的三引脚SOT-23表面贴装封装，便于在空间受限的PCB上进行布局。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为1V @ 250A，确保了在逻辑电平信号下的可靠开启。器件的工作结温范围宽广，从-55°C到150°C，最大功耗为625mW（Ta），使其能够适应各种环境条件。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取该产品及相关设计资源。

基于其性能参数，ZXM61P03FTA非常适合应用于对空间和效率有严格要求的低压功率管理场景。典型应用包括便携式设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的负载开关、电源路径管理以及电池反接保护。此外，它也常被用于DC-DC转换器的同步整流侧、电机驱动中的预驱动电路，以及各类消费电子和工业控制模块中的信号切换与功率分配单元，是实现系统小型化和高效化的理想选择。

• 型号:ZXM61P03FTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 600mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:140 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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