DMT10H009LFG-7

Diodes Incorporated推出的DMT10H009LFG-7是一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道功率MOSFET，其设计旨在提供优异的开关性能和功率密度。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8封装，实现了高电流处理能力与极小占板面积的平衡，非常适合空间受限的现代电源和电机驱动应用。

该MOSFET的核心优势在于其极低的导通电阻，在Vgs为10V、Id为20A的条件下，其Rds(on)最大值仅为8.5毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷(Qg)最大值控制在41nC @ 10V，结合适中的输入电容，确保了快速的开关切换速度，有助于降低开关损耗，提升高频应用下的整体性能。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2.5V，与标准逻辑电平驱动兼容，简化了驱动电路设计。

在电气参数方面，DMT10H009LFG-7具备100V的漏源击穿电压(Vdss)，提供了充足的电压裕量。其电流处理能力突出，在环境温度(Ta)下连续漏极电流(Id)为13A，而在管壳温度(Tc)下可高达50A，展现了强大的散热设计潜力。其最大栅源电压(Vgs)为±20V，增强了抗栅极噪声干扰的鲁棒性。器件的功率耗散能力在Tc条件下可达30W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。用户可通过DIODES授权代理获取完整的技术支持和供应链服务。

凭借其高性能指标，这款MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、电机控制、电池保护电路以及各类电源管理模块中。其表面贴装形式特别适合自动化生产，是提升工业设备、消费电子及汽车子系统功率密度和能效的理想选择。

• 型号:DMT10H009LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 13A/50A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2361 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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