DMT10H009LPS-13

作为一款高性能的N沟道功率MOSFET，DMT10H009LPS-13采用了先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，其核心架构旨在实现高效率与高可靠性的功率开关控制。该器件基于成熟的平面工艺，通过优化单元结构和沟道设计，在确保高击穿电压的同时，显著降低了导通电阻和栅极电荷，从而在功率转换和电机驱动等应用中能够有效减少开关损耗和传导损耗，提升系统整体能效。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达100V，为开关电源的初级侧或电机驱动电路提供了充足的电压裕量，增强了系统的鲁棒性。在导通特性方面，在10V驱动电压（Vgs）下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至8毫欧（在20A条件下），这一极低的Rds(on)值直接转化为更低的导通损耗，尤其在大电流工作状态下优势明显。其栅极驱动设计友好，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，且标准驱动电压为4.5V至10V，可与主流逻辑电平控制器或驱动器轻松兼容，简化了驱动电路设计。此外，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为40.2nC，结合2309pF的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的栅极驱动损耗，有助于提升开关频率并降低EMI。

在封装与可靠性层面，DIODES代理提供的这款器件采用了表面贴装型的PowerDI5060-8封装。这种紧凑型封装不仅节省了宝贵的PCB空间，其优化的引脚布局和散热焊盘设计也显著提升了热性能，使得器件在环境温度（Ta）下可承受1.3W的功率耗散，而结温（Tj）工作范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。其电流承载能力突出，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）可达90A，展现了强大的功率处理潜力。

综合其技术参数，DMT10H009LPS-13非常适用于需要高效率、高功率密度和高可靠性的应用场景。典型应用包括但不限于DC-DC转换器（特别是同步整流和负载点转换）、电机驱动与控制（如无人机、电动工具中的无刷直流电机）、服务器和通信设备的电源模块，以及各类需要快速开关的功率开关电路。其优异的性能平衡使其成为工程师在设计下一代高效能电子系统时的理想功率开关选择。

• 型号:DMT10H009LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta），90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2309 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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