DMT10H009SPS-13

Diodes Incorporated推出的DMT10H009SPS-13是一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET，其核心设计旨在实现高效率与高功率密度。该器件采用优化的单元结构，显著降低了导通电阻与栅极电荷，从而在开关应用中有效减少了传导损耗与开关损耗。其PowerDI5060封装不仅提供了优异的散热性能，还实现了紧凑的占板面积，非常适合空间受限的现代电子设备。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的电气性能平衡。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至8.5毫欧（在20A条件下），这确保了在导通状态下极低的功率耗散。同时，栅极总电荷（Qg）最大值仅为30nC，这使得器件能够实现快速开关，并降低对驱动电路的要求，有助于提升整体系统的开关频率和效率。其漏源击穿电压（Vdss）为100V，提供了充足的电压裕量，增强了系统在瞬态条件下的可靠性。

在接口与参数方面，DMT10H009SPS-13支持宽泛的工作条件。其连续漏极电流在壳温（Tc）条件下可达80A，展现了强大的电流处理能力。栅源电压（Vgs）耐受范围为±20V，增强了驱动电路的鲁棒性。器件的输入电容（Ciss）在50V条件下为2085pF，与低栅极电荷共同决定了其快速的开关响应。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取此产品及相关技术支持。

凭借其高性能与高可靠性，此器件主要面向需要高效功率转换与管理的应用场景。它是同步整流、DC-DC转换器（尤其是降压和升压拓扑）、电机驱动控制以及各类电源模块中的理想选择。在服务器电源、通信基础设施、工业自动化设备以及汽车辅助系统中，该MOSFET能够有效提升能效，减少热设计复杂度，是实现高功率密度解决方案的关键元器件。

• 型号:DMT10H009SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Ta），80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2085 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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