DMT10H009SSS-13

作为Diodes Incorporated（美台半导体）旗下的一款高性能功率器件，DMT10H009SSS-13采用了先进的MOSFET技术，其核心架构旨在实现高效率与高可靠性的功率开关。该器件基于优化的半导体工艺设计，能够在61V至100V的宽范围漏源电压（BVDSS）下稳定工作，其SO-8封装形式集成了良好的热性能和紧凑的占板面积，为工程师在空间受限的应用中提供了灵活的设计选择。

该MOSFET的突出特性在于其优异的开关性能与导通特性。低导通电阻（Rds(On)）的设计有效降低了器件在导通状态下的功率损耗，从而提升了整体系统的能源效率。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数确保了快速的开关速度，减少了开关过程中的能量损失，这对于高频开关电源、电机驱动等对动态响应要求苛刻的应用至关重要。其稳健的设计也保证了在宽温度范围内的稳定运行。

在接口与关键参数方面，DMT10H009SSS-13提供了标准化的引脚配置，便于在标准SO-8封装焊盘上进行布局和焊接。虽然详细的电流、栅极驱动电压及热阻参数需参考完整的数据手册，但其标称的BVDSS范围与通用驱动电压兼容性，使其能够适配多种栅极驱动电路。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取完整的技术支持、样品以及批量供货服务。

这款MOSFET非常适合应用于需要高效功率管理的场景。其核心价值在DC-DC转换器、电机控制驱动器、电池保护电路以及各类开关电源系统中得以体现。例如，在工业自动化设备的电源模块中，它可以作为主开关管或同步整流管，提升功率密度和转换效率；在电动工具或轻型电动车辆的电机控制器中，其耐压和开关特性有助于实现精准的PWM控制与能量回收。总之，DMT10H009SSS-13是一款面向现代电力电子设计的通用型高性能MOSFET解决方案。

• 型号:DMT10H009SSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Ta），42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2085 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.4W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 供应商器件封装:-
• 封装/外壳:-
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