DMT10H014LSS-13

DMT10H014LSS-13是一款采用先进平面MOSFET技术制造的N沟道功率场效应晶体管，其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。该器件采用8-SO表面贴装封装，内部结构经过精心布局，以优化电流通路并降低寄生参数，从而在高频开关应用中保持稳定的性能。其金属氧化物半导体结构确保了栅极控制的可靠性与效率，为系统设计提供了坚实的硬件基础。

在电气特性方面，该器件展现出卓越的性能。其漏源击穿电压(Vdss)高达100V，能够承受较高的反向电压，适用于多种电源拓扑。在25°C环境温度下，连续漏极电流(Id)额定值为8.9A，表明其具备良好的电流处理能力。其导通电阻(Rds(on))在10V栅源电压(Vgs)和20A漏极电流条件下最大仅为15毫欧，这一低阻值特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。栅极驱动要求较为宽松，在4.5V至10V的Vgs范围内即可实现优化的导通状态，同时栅极阈值电压(Vgs(th))最大为3V@250A，确保了与常见逻辑电平或驱动电路的兼容性。

该MOSFET的动态参数同样经过优化，以适应高效的开关应用。在10V Vgs下的最大栅极电荷(Qg)为33.3nC，较低的栅极电荷有助于减少开关过程中的驱动损耗并提升开关频率。在50V漏源电压下，最大输入电容(Ciss)为1871pF，结合其封装特性，有助于控制开关过程中的电压变化率。器件的工作结温范围宽广，为-55°C至150°C，并符合AEC-Q101标准，满足汽车电子应用的严苛环境要求。其最大功率耗散为1.2W，设计时需结合散热条件进行考量。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取此型号产品。

凭借其100V的耐压、8.9A的电流能力以及低至15毫欧的导通电阻，DMT10H014LSS-13非常适合于需要高效功率转换和控制的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动电路中的H桥臂、以及各类电源管理模块。其符合汽车级标准，使其能够直接应用于车身控制模块、LED照明驱动、燃油泵控制等汽车电子系统中，在严酷的温度和振动环境下保持稳定运行。此外，在工业自动化、通信电源及消费类电子产品的功率开关电路中，它也是一个可靠的选择。

• 型号:DMT10H014LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 8.9A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1871 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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