DMT10H015LK3-13

DMT10H015LK3-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽栅技术制造，封装于TO-252（D-Pak）表面贴装封装中。该器件设计用于在严苛的汽车电子环境中提供高可靠性，其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，实现了在紧凑封装内的高电流处理能力。

该MOSFET的突出特性在于其优异的导通性能与开关效率。其漏源电压（Vdss）额定值为100V，在25°C壳温条件下可连续通过高达50A的漏极电流。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压和20A漏极电流条件下典型值仅为15毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为33.3nC @ 10V，结合适中的输入电容，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计，使其在高频开关应用中表现出色。

在电气参数方面，该器件具备宽泛的工作电压与温度范围。其栅源电压（Vgs）可承受±20V，提供了较强的栅极过压耐受能力。阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.5V @ 250A，确保了与标准逻辑电平驱动的良好兼容性。其结温工作范围覆盖-55°C至150°C，完全满足汽车级应用对极端温度环境的要求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过DIODES中国代理获取稳定的供货与技术支援。

凭借其高可靠性、高效率和高功率密度，DMT10H015LK3-13非常适合应用于对空间和能效有严格要求的领域。其主要应用场景包括汽车系统中的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、DC-DC转换器中的同步整流和主开关、电池管理系统（BMS）中的负载开关与保护电路，以及工业电源和电机控制等。其TO-252封装提供了良好的散热性能和易于PCB布局的便利性，是空间受限且需要处理中大功率应用的理想选择。

• 型号:DMT10H015LK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1871 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.9W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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