DMT10H015SK3-13

Diodes Incorporated推出的DMT10H015SK3-13是一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管，其核心设计旨在实现高效率与高功率密度。该器件采用成熟的TO-252（D-Pak）表面贴装封装，为工程师提供了紧凑且散热性能优良的解决方案，其沟道技术经过优化，在提供大电流处理能力的同时，有效控制了导通损耗与开关损耗。

该MOSFET的突出特性在于其优异的导通电阻性能，在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至14毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗，显著提升了系统的整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为30.1nC @ 10V，结合适中的输入电容，意味着器件具备快速的开关速度，有助于降低开关过程中的功率损耗，尤其适用于高频开关应用。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±20V，提供了宽裕的驱动安全余量。

在电气参数方面，DMT10H015SK3-13具备100V的漏源击穿电压（Vdss）和高达54A（Tc条件下）的连续漏极电流能力，确保了其在严苛工况下的可靠性与鲁棒性。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适应工业级宽温环境要求。功率耗散能力在环境温度（Ta）下为1.8W，在管壳温度（Tc）下可达4.2W，配合D-Pak封装的散热片设计，能够有效管理热性能。对于需要稳定供货与技术支持的设计项目，通过官方DIODES授权代理进行采购是确保产品正宗与供应链安全的重要途径。

凭借其高电压、大电流、低损耗的特性组合，这款MOSFET非常适合应用于要求高效率与高可靠性的功率转换领域。典型应用场景包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、不间断电源（UPS）系统以及各类工业电源中的功率开关部分。其表面贴装形式也使其能无缝集成到现代自动化生产线中，满足消费电子、通信设备、汽车电子及工业自动化等多种场景对功率器件性能与体积的严格要求。

• 型号:DMT10H015SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 54A TO252
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):54A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2343 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.8W（Ta），4.2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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