DMT10H015SPS-13

DMT10H015SPS-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺的N沟道功率MOSFET，封装于紧凑的PowerDI5060-8表面贴装器件中。该器件基于成熟的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术构建，其核心架构旨在实现低导通损耗与高效率开关性能的平衡。通过优化的单元设计和先进的制造工艺，它在有限的封装尺寸内实现了优异的电气特性，为高密度电源和电机驱动应用提供了可靠的半导体解决方案。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的导通电阻性能，在10V栅极驱动电压（Vgs）和20A漏极电流（Id）条件下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为16毫欧。这一低Rds(On)特性直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体效率并减少热耗散。其栅极电荷（Qg）最大值仅为33.3nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），意味着它具备快速的开关速度和较低的开关损耗，这对于高频开关电源和PWM控制应用至关重要。其驱动电压范围宽泛，在4.5V至10V之间均可实现良好的导通特性，为设计提供了灵活性，便于与多种控制器或驱动器兼容。

在电气参数方面，DMT10H015SPS-13拥有100V的漏源击穿电压（Vdss），提供了充足的电压裕量，适用于48V或更低电压总线系统的应用。其电流处理能力突出，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流可达44A，展现了强大的功率处理潜力。同时，它支持±20V的最大栅源电压，增强了栅极驱动的鲁棒性。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取原厂正品和技术支持。

凭借其高电压、低导通电阻和快速开关的综合优势，这款器件非常适合应用于要求高效率和高功率密度的场景。典型应用包括直流-直流转换器（尤其是同步整流和开关拓扑）、电机驱动与控制（如无人机、电动工具中的无刷直流电机）、电池保护电路以及各类工业电源模块。其PowerDI5060封装具有优异的热性能，便于将热量有效地传导至PCB，是实现紧凑型、高性能电源设计的理想选择。

• 型号:DMT10H015SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.3A（Ta），44A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1871 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta），46W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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