DMT15H067SSS-13

Diodes Incorporated推出的DMT15H067SSS-13是一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体结构，在8-SO表面贴装封装内集成了高性能的功率开关核心。其设计重点在于优化导通损耗与开关性能的平衡，通过精心的芯片布局和工艺控制，实现了在紧凑封装下的高电流处理能力和优异的散热特性，为空间受限的现代电子设备提供了可靠的功率管理解决方案。

该MOSFET具备150V的漏源击穿电压(Vdss)，提供了充足的电压裕量，增强了系统在开关瞬态过程中的可靠性。其导通电阻表现突出，在10V栅极驱动电压、4.1A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为67毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体能效。器件支持高达±20V的栅源电压，增强了栅极驱动的抗干扰能力。同时，其栅极总电荷(Qg)最大值仅为6.4nC，结合425pF的输入电容，使得开关速度快，开关损耗显著降低，特别适合高频开关应用。

在电气参数方面，DMT15H067SSS-13在25°C环境温度下连续漏极电流(Id)为4.5A，而在管壳温度下可承受13A电流，展现了其强大的电流输出潜力。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为4V，确保了良好的噪声抑制能力。器件采用标准的8-SO封装，便于自动化贴装生产，其工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应严苛的工业环境。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、低导通电阻、快速开关和良好的热性能，这款MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和主开关、电机驱动控制电路、各类电源管理模块以及LED照明驱动。在服务器电源、工业自动化设备、通信基础设施和消费类电子产品的功率转换部分，它都能作为关键开关元件，有效提升系统能效和可靠性。

• 型号:DMT15H067SSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 150V 4.5A/13A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:150 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Ta），13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:67 毫欧 @ 4.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:425 pF @ 75 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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