DMT2004UFV-13

DMT2004UFV-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8（UX类）表面贴装封装，专为在有限空间内实现高功率密度和高效率而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，使得在极低的栅极驱动电压下即可实现优异的导通性能，这对于提升系统整体能效和简化驱动电路设计至关重要。

该MOSFET的显著特性在于其极低的导通电阻与高电流处理能力。在10V栅源电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和发热量。同时，器件在25°C壳温条件下可支持高达70A的连续漏极电流，展现出强大的负载处理能力。低栅极电荷（Qg）特性是其另一大亮点，最大值仅为53.7nC @ 10V，这意味着开关过程中的栅极驱动损耗极低，能够实现更高频率的开关操作，从而允许使用更小的外围磁性元件，进一步优化电源系统的尺寸和成本。

在电气参数方面，DMT2004UFV-13的漏源击穿电压（Vdss）为24V，适用于常见的12V或24V总线系统。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.45V，且驱动电压范围宽（最大RdsOn对应2.5V，最小对应10V），使其与低电压逻辑电平（如3.3V或5V）的微控制器或驱动IC能够良好兼容，无需复杂的电平转换电路。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的可靠性与稳定性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，通过正规的DIODES一级代理进行采购是保障项目顺利进行的关键。

凭借上述特性，这款MOSFET非常适合应用于对效率和空间有严格要求的现代电子设备中。其主要应用场景包括服务器、通信设备的高密度DC-DC同步整流和负载开关、笔记本电脑的CPU/GPU供电电路、以及各类便携式设备中的电源管理模块。其优异的开关性能和热特性，使其成为构建高效率、小型化电源解决方案的理想选择。

• 型号:DMT2004UFV-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.45V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1683 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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