ZXMN6A11DN8TC

ZXMN6A11DN8TC是Diodes Incorporated推出的一款采用表面贴装8-SOIC封装的双N沟道增强型MOSFET阵列。该器件集成了两个独立的逻辑电平门MOSFET，其核心架构基于先进的平面工艺技术，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。每个通道均能独立控制，为紧凑型电路设计提供了高度集成的解决方案，有效节省了PCB空间并简化了布局布线。

该MOSFET的显著特性在于其逻辑电平门驱动能力，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值仅为1V @ 250A，这意味着它能够被微控制器、DSP或低电压逻辑电路（如3.3V或5V系统）直接且高效地驱动，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计并降低了整体成本。其导通电阻(Rds(on))在10V Vgs和2.5A Id条件下典型值仅为120毫欧，确保了在导通状态下具有较低的功率损耗，提升了能源效率。

在电气参数方面，ZXMN6A11DN8TC具备60V的漏源击穿电压(Vdss)，提供了良好的电压裕量。连续漏极电流(Id)额定值为2.5A，足以应对中等电流负载的切换需求。其动态特性同样出色，栅极总电荷(Qg)最大值仅为5.7nC @ 10V，结合330pF @ 40V的最大输入电容(Ciss)，共同决定了其快速的开关速度，有助于降低开关损耗并提高高频应用的性能。器件的最大功耗为1.8W，工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的可靠运行。如需获取稳定的供货与技术支援，建议通过官方DIODES授权代理进行采购。

凭借其双通道集成、逻辑电平兼容以及优异的开关性能，ZXMN6A11DN8TC非常适合应用于空间受限且需要高效功率管理的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或负载开关、电机驱动电路中的H桥或半桥配置、电池供电设备的电源路径管理，以及各类需要高速开关的负载驱动，如LED照明驱动和便携式设备中的功率分配单元。其紧凑的8-SOIC封装使其成为对板卡面积有严格要求的现代电子产品的理想选择。

• 型号:ZXMN6A11DN8TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.7nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:330pF @ 40V
• 功率 - 最大值:1.8W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
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