DMT2004UFV-7

DMT2004UFV-7是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）推出的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术制造。该器件采用PowerDI3333-8（UX类）表面贴装封装，其紧凑的PowerDI3333封装专为高功率密度应用而优化，在有限的PCB空间内实现了出色的热性能和电气性能平衡。其核心架构旨在提供极低的导通损耗和高效的开关特性，这对于提升系统整体能效和可靠性至关重要。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通电阻（Rds(on)），在10V栅极驱动电压和12A漏极电流条件下，最大值仅为5毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，使其在承载大电流时温升更小。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为53.7nC（@10V），结合适中的输入电容，意味着开关过程中的栅极驱动损耗更低，能够实现更快的开关速度和更高的工作频率，这对于开关电源等高频应用尤为重要。其阈值电压Vgs(th)最大值为1.45V，与标准逻辑电平兼容性好，便于由微控制器或驱动IC直接高效驱动。

在电气参数方面，DMT2004UFV-7的连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下高达70A，漏源击穿电压（Vdss）为24V，最大栅源电压（Vgs）为±12V，确保了在严苛工况下的稳定运行。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，适应各种环境要求。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取原厂正品和技术支持。这些稳健的参数使其成为高电流、低电压开关应用的理想选择。

基于其高性能表现，DMT2004UFV-7非常适合应用于对效率和空间有严格要求的现代电子设备中。典型应用场景包括服务器和通信设备的负载点（POL）电源转换、DC-DC同步整流、电机驱动控制（如无人机、电动工具）、锂电池保护电路以及各类便携式设备中的电源管理模块。其表面贴装形式和高功率处理能力，完美契合了当前电子产品小型化、高效化的发展趋势。

• 型号:DMT2004UFV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.45V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1683 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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