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DMT2004UPS-13

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DMT2004UPS-13技术参数详情:

DMT2004UPS-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)技术,集成于紧凑的PowerDI5060-8封装中,专为在严苛的汽车电子环境中实现高效率、高可靠性的功率开关与控制而设计。其核心架构针对低导通损耗与快速开关性能进行了优化,通过精密的半导体工艺实现了极低的导通电阻与栅极电荷,从而在紧凑的物理尺寸下提供了卓越的电流处理能力。

该器件的一个突出特性是其极低的导通电阻(Rds(on)),在10V驱动电压(Vgs)和20A漏极电流(Id)条件下,典型值仅为5毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率,尤其在处理大电流时优势显著。同时,其较低的栅极电荷(Qg,最大值53.7nC @ 10V)有助于减少开关过程中的能量损耗,并允许使用更小、更经济的栅极驱动器,从而简化外围电路设计并提升开关频率。其栅源电压(Vgs)最大额定值为±12V,提供了足够的驱动裕量。

在电气参数方面,DMT2004UPS-13的漏源击穿电压(Vdss)为24V,适用于常见的12V及24V汽车电源系统。在壳温(Tc)条件下,其连续漏极电流(Id)额定值高达80A,展现出强大的电流承载能力。其工作结温范围极宽,为-55°C至150°C,确保了在从极寒到高温引擎舱环境下的稳定运行。该器件采用表面贴装(SMT)形式,PowerDI5060-8封装具有良好的热性能和功率耗散能力,便于自动化生产。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过官方授权的DIODES代理获取原厂正品和技术支持。

凭借其车规级认证、高电流能力、低损耗特性以及宽工作温度范围,这款MOSFET非常适合于对可靠性和效率要求极高的汽车电子应用。典型应用场景包括电机驱动控制(如风扇、泵、车窗升降器)、负载开关与电源分配(如配电模块、智能保险丝盒),以及DC-DC转换器中的同步整流或主开关。其紧凑的封装也使其成为空间受限的ECU(电子控制单元)和模块化设计的理想选择。

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