ZXMN20B28KTC

ZXMN20B28KTC是一款采用N沟道增强型平面MOSFET技术的功率半导体器件，其核心架构基于先进的沟槽工艺，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。该器件采用TO-252-3（DPAK）表面贴装封装，结构紧凑，热性能优良，便于在自动化产线上进行高效组装，同时其内部设计优化了寄生电容参数，有助于提升整体开关效率。

该MOSFET具备200V的漏源击穿电压(Vdss)和1.5A的连续漏极电流(Id)能力，为其在中等功率应用中的稳定运行提供了基础保障。其关键电气特性表现为优异的栅极驱动效率，在10V的栅源电压(Vgs)下，导通电阻(Rds(on))典型值低至750毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2.5V，且栅极总电荷(Qg)仅为8.1nC，这意味着它能够被标准的逻辑电平信号（如5V）高效驱动，并实现快速的开关转换，从而减少开关损耗，提升系统频率响应。

在接口与参数方面，器件支持高达±20V的栅源电压，提供了充足的驱动安全裕量。其输入电容(Ciss)在25V Vds下最大值为358pF，较小的电容值有助于简化驱动电路设计。该MOSFET的额定工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功耗为2.2W，结合DPAK封装良好的散热能力，确保了其在各种环境条件下的可靠性。对于需要稳定供应链和原厂技术支持的客户，可以通过DIODES授权代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其电压、电流规格及开关特性，ZXMN20B28KTC非常适合应用于需要高效功率转换和控制的场景。典型应用包括低功率开关电源（SMPS）中的初级侧开关、DC-DC转换器、电机驱动控制电路（如风扇、小型泵浦）、LED照明驱动以及作为继电器或电磁阀的电子替代开关。其平衡的性能参数使其成为工业控制、消费电子和汽车辅助系统中对效率、尺寸和成本均有要求的理想选择。

• 型号:ZXMN20B28KTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 2.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.1 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:358 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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