DMT3009LFVWQ-7

DMT3009LFVWQ-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道功率MOSFET，其核心设计旨在实现极低的导通损耗与出色的开关性能。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8封装，并集成了可润湿侧翼，这不仅优化了PCB布局的空间利用率，也显著提升了自动光学检测（AOI）的可靠性，特别适合高密度、自动化的现代电子制造流程。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的电气性能平衡。它在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(On)）典型值低至11毫欧，这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为12nC，结合823pF的输入电容（Ciss），确保了快速的开关瞬态响应，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计。其宽泛的栅源电压（Vgs）范围支持±20V，提供了更强的抗干扰能力和设计灵活性。

在接口与参数方面，器件额定漏源电压（Vdss）为30V，在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）可达12A，而在管壳温度（Tc）条件下更能支持高达50A的电流，展现了强大的电流处理能力。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，并符合AEC-Q101车规标准，确保了在严苛环境下的长期稳定运行。对于需要可靠供应链的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取正品支持与技术咨询。

基于其高可靠性、高效率和小尺寸的特点，DMT3009LFVWQ-7非常适合应用于对空间和能效有严格要求的领域。典型应用包括汽车电子系统中的负载开关、电机驱动控制、电池管理电路，以及工业电源、DC-DC转换器中的同步整流和功率分配模块。其车规级认证使其成为引擎控制单元（ECU）、照明系统和信息娱乐设备中功率开关的理想选择。

• 型号:DMT3009LFVWQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:3.8V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 14.4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:823 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.3W（Ta），35.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购DMT3009LFVWQ-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。