DMT3009UFVW-13

DMT3009UFVW-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8（SWP）表面贴装封装，专为在有限空间内实现高功率密度和高效散热而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，使得在较低的栅极驱动电压下即可获得优异的导通性能。

该MOSFET的显著特性在于其极低的导通电阻，在10V栅源电压和11A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为11毫欧。这一特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷Qg最大值仅为7.4nC @ 10V，结合适中的输入电容，意味着开关速度快，开关损耗低，特别适合高频开关应用。器件支持高达30V的漏源电压，并提供了两种电流规格：在环境温度下连续漏极电流为10.6A，而在管壳温度下可高达30A，展现了其强大的电流处理能力和散热潜力。

在接口与电气参数方面，DIODES中国代理可提供详细的技术支持。该MOSFET的栅极阈值电压Vgs(th)最大值为1.8V @ 250A，且驱动电压范围宽，标准逻辑电平（4.5V）即可使其充分导通，而最大栅源电压为±12V，提供了安全的驱动裕量。其功率耗散在环境温度下为1.2W，管壳温度下可达2.6W。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在严苛环境下的可靠运行。

基于上述技术特点，DMT3009UFVW-13非常适合应用于对效率和空间有严格要求的场景。其主要应用领域包括直流-直流转换器的同步整流和负载开关、电机驱动控制、电池保护电路以及各类便携式设备、计算设备和消费电子产品的电源管理模块。其出色的性能使其成为工程师在追求高效率、小型化电源解决方案时的理想选择。

• 型号:DMT3009UFVW-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 10.6A/30A PWRDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.6A（Ta），30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:894 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.2W（Ta），2.6W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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