DMT3020LDV-7

DMT3020LDV-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进PowerDI333封装的双N沟道MOSFET阵列。该器件集成了两个性能一致的MOSFET于一个紧凑的8引脚封装内，其核心设计旨在实现高功率密度与卓越的散热性能。其架构优化了芯片内部的电流路径和热传导，使得在极小的占板面积下，能够高效处理高达32A的连续漏极电流，同时将结到环境的热阻降至最低，这对于空间受限的高功率应用至关重要。

该MOSFET的功能特性突出体现在其极低的导通损耗和出色的开关性能上。其最大导通电阻低至20毫欧（条件为9A，10V），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，最大栅极电荷仅为7nC，配合较低的输入电容，确保了快速的开关切换，有效降低了开关损耗，特别适合高频开关应用。其栅极阈值电压最大值为2.5V，与常见的3.3V或5V逻辑电平兼容良好，便于驱动电路设计。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES一级代理获取原装正品和技术支持。

在电气参数方面，DMT3020LDV-7的漏源击穿电压为30V，提供了充足的电压裕量。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。表面贴装的封装形式符合现代自动化生产要求，而其900mW的环境温度下最大功耗指标，结合PowerDI333封装优异的散热能力，使其能够承受持续的功率耗散。这些接口与参数特性共同构成了一个高效、可靠的功率开关解决方案。

基于其高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，DMT3020LDV-7非常适用于对效率和空间有苛刻要求的场景。典型应用包括服务器和通信设备的负载点电源同步整流、DC-DC转换器中的高端和低端开关、电机驱动控制电路以及各类电池管理系统的保护开关。其双通道集成的设计也为需要多路开关或并联以进一步降低阻抗的应用提供了便利，是紧凑型高功率密度设计的理想选择。

• 型号:DMT3020LDV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 32A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:393pF @ 15V
• 功率 - 最大值:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UXC 类）
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