DMT3020LFDF-13

DMT3020LFDF-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的U-DFN2020-6（F类）封装，实现了优异的功率密度与热性能平衡。其核心架构基于优化的单元设计，有效降低了导通电阻和栅极电荷，从而在开关应用中显著提升了效率并减少了开关损耗。

该MOSFET具备30V的漏源击穿电压（Vdss）和8.4A的连续漏极电流（Id）能力，为其在低压高电流场景下的稳定运行提供了坚实基础。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压（Vgs）和9A电流条件下典型值仅为17毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。栅极驱动特性方面，其最大栅极阈值电压（Vgs(th)）为2.5V，并兼容宽范围的逻辑电平驱动，而最大栅极电荷（Qg）仅为70nC，这有助于简化驱动电路设计并实现高速开关。

在电气参数上，器件支持高达±20V的栅源电压，确保了较强的抗干扰能力。其输入电容（Ciss）在15V Vds条件下最大值为393pF，结合低Qg特性，共同优化了开关动态性能。热管理方面，器件在环境温度（Ta）下最大功耗为700mW，在管壳温度（Tc）下则可承受1.8W的功率耗散，配合DFN封装良好的热传导路径，有效保障了其在-55°C至150°C结温范围内的可靠工作。用户可通过DIODES授权代理获取完整的技术支持与供应保障。

凭借其低导通电阻、高开关速度、出色的热性能以及微型化的6UDFN封装，DMT3020LFDF-13非常适合空间受限且对效率要求苛刻的应用。其主要应用场景包括但不限于：DC-DC同步整流转换器中的低压侧开关、电机驱动控制电路、电池保护与负载开关管理，以及各类便携式设备、计算设备和消费电子中的电源管理模块。

• 型号:DMT3020LFDF-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 8.4A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:393 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:700mW（Ta），1.8W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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