DMT4008LFV-7

DMT4008LFV-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8（UX类）表面贴装封装，专为在有限空间内实现高功率密度和高效率而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过精密的制造工艺确保了在宽温度范围内的稳定性和可靠性，为开关电源和电机驱动等应用提供了坚实的硬件基础。

该MOSFET的关键性能体现在其卓越的导通特性上。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至7.9毫欧（@12A），这一极低的导通损耗直接转化为更高的系统效率和更少的热量产生。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为17.1nC（@10V），结合适中的输入电容，意味着快速的开关速度和更低的开关损耗，特别适合高频开关应用，有助于减小外围磁性元件的尺寸。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，与标准逻辑电平兼容，便于由微控制器或通用驱动IC直接控制。

在电气参数方面，DMT4008LFV-7具备40V的漏源击穿电压（Vdss），为12V或24V总线系统提供了充足的安全裕量。其连续漏极电流在环境温度（Ta）25°C下为12.1A，在壳温（Tc）25°C下高达54.8A，展现了强大的电流处理能力。器件支持高达±20V的栅源电压，增强了抗栅极噪声干扰的鲁棒性。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，结合35.7W（Tc）的最大功耗能力，确保了在苛刻环境下的稳定运行。如需获取样品或批量采购，可以联系官方授权的DIODES代理商。

凭借其高效率、高功率密度和快速开关的特性，这款MOSFET非常适合应用于多种现代电子系统中。其主要应用场景包括直流-直流转换器（如同步整流、负载点转换器）、电机驱动控制（如无人机电调、小型伺服驱动器）、电池保护电路以及各类需要高效功率切换的便携式设备、计算设备和工业控制模块中。其表面贴装形式也完全适配自动化生产流程。

• 型号:DMT4008LFV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12.1A（Ta），54.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.9 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1179 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.9W（Ta），35.7W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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