DMTH8008LPS-13

作为一款高性能N沟道功率MOSFET，DMTH8008LPS-13采用了先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，其核心设计旨在实现极低的导通损耗与高效的开关性能。该器件基于优化的沟槽栅极结构，在紧凑的封装内实现了优异的电流处理能力与热性能平衡。其工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行，同时表面贴装型的PowerDI5060-8封装为高功率密度应用提供了理想的解决方案。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的低导通电阻，在10V栅极驱动电压、14A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为7.8mΩ，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。其栅极电荷Qg最大值控制在41.2nC @ 10V，结合适中的输入电容，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。器件支持4.5V至10V的标准栅极驱动电压范围，阈值电压Vgs(th)最大值为2.8V @ 1mA，使其与常见的3.3V或5V逻辑电平控制器具有良好的兼容性，便于在现代数字电源系统中集成。对于需要可靠元器件供应的项目，可以通过官方DIODES授权代理渠道获取此产品。

在电气参数方面，DMTH8008LPS-13具备80V的漏源击穿电压(Vdss)和高达91A的连续漏极电流(Id)承载能力（基于壳温Tc条件），为处理高功率脉冲和稳态电流提供了充足的余量。其最大栅源电压为±20V，提供了较强的抗干扰能力。功率耗散能力在环境温度(Ta)下为1.5W，而在壳温(Tc)条件下可达100W，这突显了其封装优异的热传导特性，对于散热设计至关重要。低至毫欧级的导通电阻与纳库仑级的栅极电荷共同构成了其高频率、高效率运行的基础。

凭借其高耐压、大电流和低损耗的特性，此器件非常适用于对效率和功率密度有严格要求的场合。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC转换器、电机驱动控制、电池保护电路以及各类工业电源中的同步整流和功率开关环节。其表面贴装封装也契合了当今电子设备小型化、集成化的发展趋势，是工程师设计紧凑型高性能电源解决方案时的有力选择。

• 型号:DMTH8008LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 91A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):91A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.8mOhm @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.8V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2345 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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