DMT47M2SFVWQ-7

DMT47M2SFVWQ-7 是 Diodes Incorporated 推出的一款符合 AEC-Q101 标准的车规级 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的沟槽式 MOSFET 技术制造。该器件设计用于在严苛的汽车电子环境中提供高效、可靠的功率开关解决方案，其核心架构优化了导通电阻与栅极电荷的平衡，旨在降低传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体能效。

该 MOSFET 具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压 (Vdss) 为 40V，适用于常见的 12V 和 24V 车载电源系统。在导通性能方面，在 Vgs=10V、Id=20A 的条件下，其导通电阻 (Rds(on)) 典型值低至 7.5 毫欧，这直接转化为更低的导通压降和功率损耗，有助于减少散热需求。同时，其栅极电荷 (Qg) 最大值仅为 12.1nC (Vgs=10V)，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的栅极驱动损耗，这对于高频开关应用至关重要。其封装为 PowerDI3333-8，这是一种紧凑的表面贴装封装，具有良好的热性能和功率处理能力。

在接口与参数层面，DMT47M2SFVWQ-7 的驱动电压 (Vgs) 范围为 ±20V，标准驱动电压为 10V。其连续漏极电流在环境温度 (Ta) 25°C 下为 15.4A，而在管壳温度 (Tc) 25°C 下可达 49.1A，展现了强大的电流处理能力。其阈值电压 (Vgs(th)) 最大值为 4V，提供了良好的噪声抑制能力。器件的工作结温范围宽达 -55°C 至 150°C，完全满足汽车应用对极端温度环境的要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方 DIODES授权代理 获取产品、样品及详细的设计资源。

凭借其高可靠性、高效率和小尺寸，DMT47M2SFVWQ-7 非常适合于多种汽车电子应用场景。它常被用作电机驱动电路中的主开关管，例如用于控制散热风扇、水泵或车窗升降电机。在电源管理领域，它适用于 DC-DC 转换器（尤其是同步整流拓扑）中的高边或低边开关，以实现高效的电压变换。此外，其在负载开关、电池保护电路以及 LED 驱动等模块中也能发挥出色的性能，是工程师设计紧凑、高效、耐用的汽车级功率电子系统的理想选择。

• 型号:DMT47M2SFVWQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.4A（Ta），49.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:897 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.67W（Ta），27.1W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（SWP）UX 类
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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