DMTH3004LFG-7

Diodes Incorporated推出的DMTH3004LFG-7是一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道功率MOSFET，其核心设计旨在实现极低的导通损耗与出色的开关性能。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8封装，在有限的占板面积内集成了高效的功率处理能力，其结构优化了电流通路与热传导路径，为高密度电源设计提供了可靠的半导体解决方案。通过DIODES代理可以获得完整的技术支持与供应链服务。

该MOSFET的突出特性在于其卓越的导通电阻（Rds(on)）性能，在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下，最大值仅为5.5毫欧。这一低阻抗特性直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体效率并减少发热。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为44nC（@10V），结合适中的输入电容，确保了快速的开关切换速度，能有效降低开关过程中的功率损耗，尤其适用于高频开关应用场景。

在电气参数方面，DMTH3004LFG-7拥有30V的漏源击穿电压（Vdss），提供了充足的电压裕量。其连续漏极电流在环境温度（Ta）下额定为15A，而在管壳温度（Tc）下可高达75A，展现了强大的电流处理能力。驱动电压范围宽泛，在4.5V至10V的Vgs下均可实现良好的导通特性，阈值电压Vgs(th)最大值为3V，兼容常见的逻辑电平与模拟驱动电路。器件支持高达±16V的栅源电压，增强了抗干扰能力。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至175°C，并具备2.5W（Ta）和50W（Tc）的功率耗散能力，结合表面贴装（SMD）形式，适合自动化回流焊工艺。

凭借其低导通电阻、快速开关特性以及稳健的电气规格，此器件非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的领域。其主要应用场景包括直流-直流（DC-DC）转换器中的同步整流和功率开关、电机驱动控制（如无人机、小型机器人）、负载开关以及各类便携式设备和服务器电源的功率管理模块。其可靠的性能为现代电子设备实现更高效、更紧凑的电源设计奠定了坚实基础。

• 型号:DMTH3004LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 15A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta），75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2370 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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