DMT5015LFDF-7

作为Diodes Incorporated（美台半导体）旗下的一款高性能功率开关器件，DMT5015LFDF-7是一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现极低的导通电阻与快速的开关特性，从而在紧凑的封装内提供卓越的功率处理能力与效率。该器件采用表面贴装型U-DFN2020-6（F类）封装，具有优异的热性能和空间利用率，非常适合高密度PCB布局。

该MOSFET的突出特性在于其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、8A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为15毫欧。这一特性直接转化为更低的导通损耗，显著提升了系统的整体能效。同时，其低栅极电荷（Qg最大值14nC @ 10V）与适中的输入电容相结合，确保了快速的开关瞬态响应，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±16V，提供了较宽的安全驱动裕度。

在电气参数方面，DMT5015LFDF-7具备50V的漏源击穿电压（Vdss），可在多种中低压应用场景中提供可靠的电压阻断能力。在环境温度（Ta）下，其连续漏极电流（Id）额定值高达9.1A，峰值电流处理能力强劲。其开启阈值电压Vgs(th)最大值为2V，属于标准逻辑电平兼容范围，便于由微控制器或通用逻辑电路直接驱动。器件的结温工作范围宽达-55°C至150°C，确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES代理获取正品货源与技术资料。

凭借其综合性能，该器件广泛应用于需要高效功率转换与控制的领域。典型应用包括DC-DC同步整流转换器中的低压侧或高压侧开关、电机驱动控制电路、电池保护与负载管理开关，以及各类电源管理单元（PMU）。其紧凑的6UDFN封装和优异的电气特性，使其成为空间受限且对效率和热管理有高要求的便携式设备、消费电子及工业自动化设备的理想选择。

• 型号:DMT5015LFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 9.1A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:902.7 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:820mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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