DMT6004LPS-13

作为Diodes Incorporated（美台半导体）旗下的一款高性能功率器件，DMT6004LPS-13采用了先进的N沟道MOSFET技术，其核心架构基于优化的沟槽工艺设计。这种设计在保证高耐压（漏源电压Vdss达60V）的同时，显著降低了单位面积的导通电阻，为实现高效率的功率转换奠定了物理基础。器件采用热性能优异的PowerDI5060-8封装，该封装具有极低的热阻，能够将芯片产生的热量高效地传导至PCB，从而在紧凑的占板面积内支持更高的连续电流处理能力。

该器件的功能特点突出体现在其卓越的开关性能与导通特性上。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至2.8毫欧（@25A），这一极低的导通损耗直接转化为更低的功率耗散和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为96.3nC，结合优化的内部栅极电阻，有助于实现快速的开通与关断，减少开关过程中的重叠损耗，特别适用于高频开关应用。其宽泛的栅极驱动电压范围（最大±20V）和较低的阈值电压（Vgs(th)最大3V）也提供了灵活且可靠的驱动兼容性。

在电气参数方面，DMT6004LPS-13在25°C环境温度下可支持22A的连续漏极电流，而在借助封装良好散热（壳温Tc）的条件下，其电流处理能力可高达90A，展现了强大的峰值功率承载潜力。其最大功率耗散在Tc条件下达到105W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。表面贴装型的PowerDI5060封装不仅便于自动化生产，其底部裸露的散热焊盘（Exposed Pad）设计更是优化了热管理性能。如需获取稳定的供货与技术支援，建议通过官方DIODES授权代理进行采购。

凭借上述综合特性，该MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的场景。其主要应用方向包括但不限于同步整流、电机驱动控制、DC-DC转换器中的高端或低端开关，以及各类电源管理模块。在服务器电源、通信设备、工业自动化设备和电动工具等终端产品中，DMT6004LPS-13能够有效提升系统能效，减少热设计复杂度，并助力实现更紧凑的产品设计。

• 型号:DMT6004LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Ta），90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:96.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4515 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），105W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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