DMT6006SPS-13

DMT6006SPS-13是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽技术制造的N沟道功率MOSFET，封装于紧凑高效的PowerDI5060-8表面贴装封装内。该器件专为在有限空间内实现高功率密度和卓越的电气性能而设计，其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，从而在60V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了极低的导通损耗。

该MOSFET的关键电气特性使其在功率开关应用中表现出色。在10V的驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至6.2mΩ（测试条件为10.5A），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为27.9nC，结合1721pF的输入电容（Ciss），意味着开关过程中的栅极驱动损耗更低，能够支持更高频率的开关操作，这对于提升电源转换器的功率密度至关重要。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和高达89.3W（Tc）的功率耗散能力，确保了器件在严苛环境下的可靠性与稳定性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理进行采购与咨询。

在接口与参数方面，DMT6006SPS-13提供了灵活的驱动兼容性，其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，而栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V，这使其能够兼容多种常见的栅极驱动电平。器件在25°C环境温度下的连续漏极电流（Id）为16.2A，而在管壳温度为基准时，该值可高达98A，展现了其强大的电流处理潜力。这些参数共同定义了一个高效、坚固的功率开关解决方案。

基于其优异的性能组合，DMT6006SPS-13非常适用于对效率和空间有严格要求的现代电子设备。其典型应用场景包括但不限于服务器和通信设备的DC-DC同步整流及负载点（POL）转换器、电动工具和无人机的电机驱动控制电路、以及各类便携式设备中的电源管理模块。其表面贴装形式尤其适合自动化生产，有助于降低整体系统成本与尺寸。

• 型号:DMT6006SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16.2A（Ta），98A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.2mOhm @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1721 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.45W（Ta），89.3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 现在可以订购DMT6006SPS-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。