DMT6007LFG-13

DMT6007LFG-13是一款由Diodes Incorporated设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术，封装于紧凑的PowerDI3333-8表面贴装封装内。该器件基于优化的垂直沟道架构，旨在实现高电流处理能力与低导通损耗的平衡。其设计重点在于降低从栅极到源极的电荷转移路径中的寄生电阻，并结合了增强的单元密度，从而在给定的芯片面积内显著提升了电流承载效率，同时维持了稳健的雪崩耐量和热稳定性。

该MOSFET的核心优势体现在其卓越的低导通电阻特性上，在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下，其Rds(On)最大值仅为6毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，对于提升系统整体能效至关重要。同时，其栅极电荷(Qg)最大值控制在41.3nC（@10V），结合适中的输入电容，有助于降低开关过程中的驱动损耗，实现更快的开关速度，这对于高频开关应用尤为重要。器件支持高达±20V的栅源电压，提供了宽裕的驱动安全裕度，而2V（@250A）的低栅极阈值电压则确保了其在低电压逻辑驱动下的易用性。

在电气参数方面，DMT6007LFG-13具备60V的漏源击穿电压（Vdss），提供了良好的电压余量。其电流处理能力突出，在25°C环境温度下连续漏极电流(Id)为15A，而在管壳温度下可高达80A，展现了强大的峰值电流承载潜力。功率耗散能力在管壳温度下达到62.5W，结合其-55°C至150°C的宽结温工作范围，确保了器件在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES芯片代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高性能指标，该器件非常适合要求高效率和高功率密度的应用场景。它常被用于DC-DC转换器的同步整流侧或主开关，特别是在服务器电源、通信设备电源模块中。此外，在电机驱动控制、电池保护电路以及各类负载开关设计中，其低导通电阻和高电流能力也能有效减少热量产生，提升系统可靠性。PowerDI3333封装优异的散热性能使其在空间受限的紧凑型设计中成为理想选择。

• 型号:DMT6007LFG-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta），80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），62.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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