DMT6007LFGQ-7

作为一款符合AEC-Q101标准的车规级功率MOSFET，DMT6007LFGQ-7采用了先进的N沟道MOSFET技术，其核心设计旨在实现高效率与高可靠性的功率开关控制。该器件基于优化的沟槽栅结构，有效降低了单位面积的导通电阻，从而在紧凑的封装内实现了优异的电流处理能力。其金属氧化物半导体技术确保了稳定的栅极控制特性，为高频开关应用提供了坚实的基础。

该器件的性能表现突出，其最大导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs和20A Id条件下仅为6毫欧，这一低导通特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在41.3nC，结合适中的输入电容，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计，实现更快的开关速度。其宽泛的栅源电压（Vgs）耐受范围达到±20V，增强了驱动电路的鲁棒性。

在电气参数方面，DMT6007LFGQ-7具备60V的漏源击穿电压（Vdss），提供了充足的电压裕度。其连续漏极电流在环境温度（Ta）25°C下为15A，而在管壳温度（Tc）下可达80A，展现了强大的电流承载潜力。器件采用热增强型的PowerDI3333-8表面贴装封装，在紧凑的占板面积下实现了高达62.5W（Tc）的功率耗散能力，优异的散热性能使其能在-55°C至150°C的结温范围内稳定工作，完全满足严苛的汽车电子环境要求。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取此型号及相关技术支持。

凭借其车规级认证、高效率和坚固性，该MOSFET非常适合应用于对可靠性和性能有严格要求的领域。其主要应用场景包括汽车系统中的负载开关、电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、DC-DC转换器中的同步整流或主开关，以及各类工业电源管理模块。其出色的电气和热性能使其成为空间受限且需要高功率密度设计的理想选择。

• 型号:DMT6007LFGQ-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Ta），80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），62.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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