DMT6008LFG-7

DMT6008LFG-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽技术制造的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8封装，专为在有限空间内实现高功率密度和高效率而设计。其核心架构优化了单元密度和沟道电阻，在实现低导通损耗的同时，保持了优秀的开关特性，这对于现代开关电源和电机驱动等应用至关重要。

该MOSFET的突出特性在于其优异的电气性能平衡。它具备60V的漏源击穿电压（Vdss），提供了足够的电压裕量，适用于常见的24V或48V总线系统。在导通特性方面，其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs驱动下典型值仅为7.5毫欧（@20A），这一低阻值直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为50.4nC，结合适中的输入电容，有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升高频开关性能，使得整体开关损耗得到有效控制。

在接口与参数设计上，DMT6008LFG-7展现出强大的电流处理能力，在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）可达13A，而在借助散热器将结温（Tc）作为参考时，电流能力可高达60A，这使其能够应对高瞬态电流负载。其驱动电压范围宽泛，标准逻辑电平（4.5V）即可有效开启，而10V驱动则可获得最低的导通电阻。器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链的客户，可以通过可靠的DIODES芯片代理获取该产品及全面的技术支持。

基于上述特性，DMT6008LFG-7非常适合应用于对效率和空间均有高要求的场景。其主要应用领域包括DC-DC转换器（如同步整流、负载点转换器）、电机驱动与控制（如电动工具、风扇、泵类）、以及电源管理模块。其表面贴装（SMT）的PowerDI3333封装具有良好的散热性能，便于在自动化生产线上实现高精度、高可靠性的焊接，是设计紧凑型、高性能电力电子系统的理想功率开关选择。

• 型号:DMT6008LFG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:POWERDI3333-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta），60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2713 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），41W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:POWERDI3333-8
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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