DMTH6016LPS-13

作为一款面向汽车电子及高性能电源管理应用的功率器件，DMTH6016LPS-13采用了先进的N沟道MOSFET技术，其核心架构基于优化的沟槽工艺设计。这种设计在保证高耐压（60V漏源电压）的同时，显著降低了导通电阻，实现了低损耗与高效率的平衡。器件采用PowerDI5060-8封装，这一紧凑的表面贴装型封装不仅提供了优异的散热性能，其低寄生电感特性也使其非常适合高频开关应用。

该器件的功能特性突出表现在其卓越的开关性能与导通特性上。在10V驱动电压下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至16毫欧（@20A），这意味着在承载大电流时能有效降低导通损耗，提升系统整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为17nC（@10V），结合较低的输入电容，确保了快速的开通与关断速度，有利于降低开关损耗并提升工作频率。其宽广的工作结温范围（-55°C至175°C）与符合AEC-Q101标准的汽车级产品系列认证，赋予了它极高的环境适应性与可靠性，能够应对汽车电子中严苛的温度波动与振动条件。

在电气参数方面，DMTH6016LPS-13提供了灵活的驱动选择，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，而推荐的驱动电压范围在4.5V至10V之间，兼容常见的3.3V、5V及12V逻辑电平，便于与微控制器或驱动IC直接接口。其连续漏极电流在环境温度（Ta）25°C下为10.6A，而在管壳温度（Tc）条件下可达37.1A，配合高达37.5W（Tc）的最大功率耗散能力，展现了强大的电流处理与散热潜力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取原厂正品与技术资料支持。

基于上述技术优势，该MOSFET非常适合应用于对效率、尺寸和可靠性有严格要求的场景。其主要应用方向包括汽车领域的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、LED照明驱动、电池管理系统（BMS）中的负载开关与保护电路，以及工业电源中的DC-DC转换器同步整流和负载点（POL）转换。其紧凑的封装和优异的性能使其成为空间受限且需要高效热管理的高密度电源设计的理想选择。

• 型号:DMTH6016LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.6A（Ta），37.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:864 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），37.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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