DMT6013LFDF-7

DMT6013LFDF-7是Diodes Incorporated推出的一款采用先进沟槽工艺技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的U-DFN2020-6（F类）封装，专为在有限空间内实现高效率功率转换而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过降低栅极电荷和米勒电容，显著提升了开关性能，使其在中等功率应用中能够兼顾低损耗与快速响应。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压和10A的连续漏极电流能力，为设计提供了充足的电压与电流裕量。其关键特性在于极低的导通电阻，在10V驱动电压、8.5A电流条件下，Rds(ON)最大值仅为15mΩ，这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体系统效率。同时，其栅极阈值电压Vgs(th)最大值为2.3V，并与4.5V/10V的驱动电压规格相结合，确保了与主流低压逻辑电平控制器（如3.3V或5V MCU）的良好兼容性，简化了驱动电路设计。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES芯片代理获取该产品。

在接口与参数方面，该器件表现出优秀的动态特性。其最大栅极电荷Qg仅为15nC @ 10V，配合1081pF @ 30V的输入电容，意味着开关过程中的栅极驱动损耗极低，有利于实现高频开关操作。器件支持±20V的栅源电压，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并采用表面贴装形式，适合自动化生产，确保了在严苛环境下的可靠性与生产便利性。

凭借上述特性，DMT6013LFDF-7非常适用于需要高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制、电池保护电路以及各类负载开关。其优异的性能使其成为便携式设备、网络通信设备、消费电子及工业控制系统中功率管理部分的理想选择，能够有效提升终端产品的能效与可靠性。

• 型号:DMT6013LFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 10A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1081 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
• 现在可以订购DMT6013LFDF-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。