DMT6015LPS-13

DMT6015LPS-13是Diodes Incorporated推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术，封装于紧凑的PowerDI5060-8表面贴装封装内。该器件设计用于在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定工作，其核心架构优化了功率密度与开关性能的平衡，使其成为空间受限且对效率要求较高的应用的理想选择。

该MOSFET的显著特性在于其优异的导通电阻与栅极电荷组合。在10V驱动电压(Vgs)和10A漏极电流(Id)条件下，其导通电阻(Rds(On))最大值仅为16毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷(Qg)在10V时最大值为18.9nC，较低的Qg值意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。其漏源电压(Vdss)额定值为60V，提供了足够的电压裕度，而栅源电压(Vgs)可承受±16V，增强了驱动电路的鲁棒性。

在电气参数方面，该器件在25°C环境温度(Ta)下的连续漏极电流(Id)为10.6A，而在管壳温度(Tc)条件下可达31A，展现了其强大的电流处理能力。其阈值电压(Vgs(th))最大值为2.5V @ 250A，确保了与标准逻辑电平驱动的良好兼容性。输入电容(Ciss)在30V Vds下最大值为1103pF，结合低Qg特性，共同优化了开关动态性能。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取此型号，以确保产品正品与供货稳定。

凭借其高功率密度、高效率与快速开关的特点，DMT6015LPS-13非常适合应用于DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统以及各类电源中的同步整流和负载开关电路。其PowerDI5060封装具有优异的热性能，有助于在紧凑的PCB布局中有效管理热量，满足现代电子设备对小型化与高性能的双重需求。

• 型号:DMT6015LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.6A（Ta），31A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1103 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.16W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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