DMT6016LFDF-7

DMT6016LFDF-7 是一款采用先进沟槽工艺技术制造的N沟道功率MOSFET，其核心架构旨在实现低导通电阻与快速开关特性的优化平衡。该器件采用紧凑的U-DFN2020-6（F类）封装，在极小的占板面积内集成了高性能的功率处理能力，其热设计充分考虑了表面贴装应用中的散热需求，确保在宽温度范围内的稳定运行。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压（Vdss），提供了良好的电压裕量，适用于多种中压应用环境。在导通特性方面，其关键优势在于极低的导通电阻（Rds(on)），在10V驱动电压（Vgs）和10A漏极电流条件下，最大值仅为16毫欧。这一特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为17nC @ 10V，结合864pF的输入电容（Ciss），意味着所需的驱动能量小，能够实现快速的开关转换，有助于降低开关损耗并提升高频应用的性能。

器件的驱动门限电压（Vgs(th)）最大值为3V @ 250A，并与4.5V至10V的标准逻辑电平驱动电压兼容，便于由微控制器或专用驱动IC直接控制。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，提供了较强的抗干扰能力。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）额定值为8.9A，最大功率耗散为820mW，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，展现了其坚固的鲁棒性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品及完整的技术支持。

基于其优异的电气参数和封装特性，DMT6016LFDF-7非常适合应用于对效率和空间均有严苛要求的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、负载开关以及各类电源管理模块。其在便携式设备、通信基础设施、工业自动化及汽车电子（如车身控制模块、LED照明驱动）等领域的功率路径管理中，都能发挥出色的性能。

• 型号:DMT6016LFDF-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:864 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:820mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:U-DFN2020-6（F 类）
• 封装/外壳:6-UDFN 焊盘
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