DMT6017LSS-13

DMT6017LSS-13是一款由Diodes Incorporated（美台半导体）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，集成于紧凑的8引脚SO封装内。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡，内部结构有效降低了寄生电容和栅极电荷，为高效率功率转换奠定了物理基础。

该器件在10V栅极驱动电压下，导通电阻典型值低至18毫欧，这一特性直接转化为较低的传导损耗，尤其在大电流工作条件下优势明显。其栅极阈值电压最大值为2.5V，并支持高达±20V的栅源电压，提供了宽裕的驱动兼容性和良好的抗噪能力。同时，低至17nC的栅极总电荷(Qg)与864pF的输入电容(Ciss)共同确保了快速的开关瞬态响应，有助于减少开关损耗，提升系统在高频应用中的整体效率。

在电气参数方面，DMT6017LSS-13具备60V的漏源击穿电压和9.2A的连续漏极电流能力，为其在中等功率场景下的稳定运行提供了保障。其最大功耗为1.5W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，结合表面贴装（SMD）的8-SO封装形式，使其能够适应自动化生产并满足工业级温度环境的可靠性要求。对于需要稳定供应链的客户，可以通过专业的DIODES芯片代理获取该产品及相关技术支持。

综合其性能特点，该MOSFET非常适合应用于DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、电池保护模块以及各类负载开关设计。其优异的效率与散热特性，使其在空间受限且对能效有严格要求的现代电子设备中，如计算设备、网络通信电源、便携式工具及消费类电子产品中，成为功率管理部分的理想选择。

• 型号:DMT6017LSS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:864 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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