MMBF170Q-13-F

MMBF170Q-13-F是Diodes Incorporated推出的一款N沟道增强型MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装于紧凑的SOT-23表面贴装器件内。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管设计，通过在硅衬底上形成栅极氧化层和金属栅极结构来实现电压控制开关功能。这种设计确保了器件在开关速度、导通电阻和电压耐受能力之间取得良好平衡，为各种低压至中压应用提供了一个高效可靠的解决方案。

该器件具备多项突出的功能特性。其漏源击穿电压(Vdss)高达60V，提供了宽裕的工作电压裕量，增强了系统在电压波动环境下的可靠性。在25°C环境温度下，连续漏极电流(Id)额定值为500mA，使其能够胜任中小电流的开关或线性调节任务。其导通特性尤为关键，在Vgs=10V、Id=200mA的条件下，导通电阻(Rds(on))最大值仅为5欧姆，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，且标准驱动电压范围为4.5V至10V，这意味着它能够与常见的3.3V或5V逻辑电平直接兼容，简化了驱动电路设计。

在接口与参数方面，MMBF170Q-13-F的栅源电压(Vgs)可承受±20V，为栅极驱动提供了较高的安全边际。其输入电容(Ciss)在Vds=10V时最大值为40pF，较低的栅极电荷需求有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，适用于频率较高的PWM应用。器件的最大功耗为300mW，结合其SOT-23封装的小型化尺寸，非常适合于高密度PCB布局。其宽泛的工作结温范围从-55°C延伸至150°C，确保了在苛刻工业或消费电子环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链保障的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取原装正品和技术支持。

基于其60V耐压、500mA电流能力、低导通电阻以及逻辑电平驱动的特性，MMBF170Q-13-F非常适合多种应用场景。它常被用于负载开关、电源管理电路中的DC-DC转换器同步整流或功率路径控制。在便携式设备中，可用于电池保护电路或LED背光驱动。此外，在工业控制、传感器接口、电机驱动预驱级等需要高效、小型化开关元件的场合，它也是一个理想的选择。其稳健的性能和紧凑的封装使其成为空间受限且对效率有要求的现代电子设计的优选器件。

• 型号:MMBF170Q-13-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:40 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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