DMT67M8LCG-7

作为Diodes Incorporated旗下的一款高性能功率MOSFET，DMT67M8LCG-7采用了先进的N沟道金属氧化物半导体技术，其核心架构旨在实现高效率与低损耗的平衡。该器件基于优化的单元设计和制造工艺，在紧凑的封装内集成了高性能的功率开关能力，其沟道结构经过特别优化，以在较低的栅极驱动电压下实现极低的导通电阻，从而有效降低导通损耗和温升，提升系统整体能效。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其最大漏源电压（Vdss）为60V，为常见的24V或48V总线应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在25°C环境温度下，其连续漏极电流（Id）可达16A，而在管壳温度（Tc）条件下更能支持高达64.6A的电流，展现了强大的电流处理能力和优异的热性能。其导通电阻（Rds(On)）在10V Vgs和20A Id条件下典型值仅为5.7毫欧，这一极低的阻抗特性是降低功率损耗、提升转换效率的关键。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，且驱动电压范围宽（4.5V至10V可获得最小Rds(On)），使其既能兼容低电压逻辑电平驱动，也能在标准驱动电压下发挥最佳性能。

在动态参数方面，该器件在10V Vgs下的最大栅极电荷（Qg）为37.5nC，结合较低的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，特别适用于高频开关应用。其栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，提供了良好的抗栅极电压应力能力。该MOSFET采用表面贴装型的V-DFN3333-8（B类）封装，这种8引脚DFN封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积，其最大功率耗散为900mW（Ta），工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链保障的客户，可以通过正规的DIODES授权代理渠道进行采购。

凭借其综合性能，DMT67M8LCG-7非常适用于需要高效功率管理和控制的场景。其主要应用领域包括直流-直流转换器（尤其是同步整流和负载开关）、电机驱动控制、电池保护电路以及各类电源管理系统。在服务器电源、通信设备、工业自动化设备和消费类电子产品的功率模块中，它都能作为核心开关元件，提供高效、可靠的解决方案。

• 型号:DMT67M8LCG-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:V-DFN3333-8（B 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Ta），64.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2130 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:900mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:V-DFN3333-8（B 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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