DMT69M8LFV-7

Diodes Incorporated推出的DMT69M8LFV-7是一款采用先进沟槽工艺制造的N沟道功率MOSFET，其设计核心在于优化功率密度与开关效率的平衡。该器件采用紧凑的PowerDI3333-8（UX类）封装，在极小的占板面积内实现了卓越的热性能和电气性能，其架构专为在高频开关应用中降低导通损耗和开关损耗而优化。通过精心的芯片布局与封装设计，有效降低了寄生参数，为系统效率提升奠定了硬件基础。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压(Vdss)和在壳温(Tc)条件下高达45A的连续漏极电流(Id)能力，展现出强大的功率处理潜力。其导通电阻(Rds(on))在10V驱动电压(Vgs)和13.5A测试条件下典型值仅为9.5毫欧，这一低导通阻抗特性直接转化为更低的通态损耗，有助于提升整体能效并减少发热。器件支持4.5V至10V的标准驱动电压范围，栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，确保了与主流逻辑电平控制器和驱动IC的良好兼容性，同时其最大栅极电荷(Qg)为33.5nC，有助于实现快速开关并降低驱动电路的功耗。

在接口与参数方面，DMT69M8LFV-7的输入电容(Ciss)在30V Vds下最大值为1925pF，结合较低的Qg，共同构成了其优异的高速开关性能基础。器件允许的栅源电压(Vgs)范围为±16V，提供了足够的驱动安全裕量。其最大功耗为42W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，结合其表面贴装形式，要求PCB设计时充分考虑散热路径。对于需要可靠供应链的客户，可以通过正规的DIODES授权代理获取此型号，以确保产品的一致性与长期供货稳定性。

得益于其AEC-Q101车规认证身份，该器件首要目标市场是汽车电子领域，尤其适用于对可靠性和温度范围要求严苛的应用，如电动助力转向(EPS)、燃油泵控制、LED前照灯驱动以及各类车身控制模块中的负载开关。此外，其在工业自动化中的电机驱动、电源管理模块的同步整流，以及消费类电子产品的DC-DC转换器中，也能充分发挥其高效率、高可靠性的优势，是工程师在空间受限且要求高效散热的设计中，实现功率开关优化的理想选择。

• 型号:DMT69M8LFV-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1925 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:42W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI3333-8（UX 类）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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