DMTH43M8LPSQ-13

Diodes Incorporated推出的DMTH43M8LPSQ-13是一款采用先进沟槽技术的N沟道功率MOSFET，其设计核心在于通过优化的单元结构和制造工艺，在紧凑的封装内实现了极低的导通电阻与出色的开关性能。该器件基于金属氧化物半导体场效应晶体管技术，其40V的漏源电压额定值确保了在常见低压直流系统中具备足够的电压裕量，而高达22A（环境温度下）的连续漏极电流承载能力，使其能够高效处理可观的功率流。

该MOSFET的显著特性体现在其卓越的导通损耗控制与动态响应上。在10V驱动电压下，其导通电阻典型值低至3.3毫欧（在20A条件下），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为49nC，结合3.367nF的输入电容，意味着在开关过程中所需的驱动能量更少，这不仅降低了驱动电路的负担，也显著提升了开关速度，有助于减少开关损耗，尤其适用于高频应用场景。其宽泛的栅源电压（Vgs）范围支持±20V，提供了更强的栅极驱动灵活性及抗干扰能力。

在电气参数方面，DMTH43M8LPSQ-13展现了全面的可靠性。其阈值电压Vgs(th)最大值为2.5V，确保了明确的导通与关断状态。器件采用表面贴装型的PowerDI5060-8封装，该封装具有优异的热性能和紧凑的占板面积。其结温工作范围宽达-55°C至175°C，并且符合AEC-Q101标准，满足汽车电子应用的严苛环境要求。对于需要稳定供应链的客户，可以通过授权的DIODES代理商获取该产品，以确保原厂正品和技术支持。

凭借其高性能与高可靠性，该器件非常适合于对效率和空间均有严格要求的应用领域。其主要应用场景包括但不限于汽车系统中的负载开关、电机驱动控制、电池管理电路，以及工业设备、消费类电子产品中的DC-DC转换器同步整流和功率分配模块。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为构建高效、紧凑型电源解决方案的理想选择。

• 型号:DMTH43M8LPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 22A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Ta），100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:49 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3367 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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