DMTH10H010LPS-13

作为一款符合AEC-Q101标准的车规级功率MOSFET，DMTH10H010LPS-13采用了先进的N沟道金属氧化物半导体技术，其核心架构旨在实现高效率与高可靠性的平衡。该器件基于优化的沟槽工艺设计，有效降低了单元尺寸，从而在给定的芯片面积内实现了更低的导通电阻。这种设计理念使得芯片在承受高达100V的漏源电压时，依然能保持出色的电气性能，为严苛的汽车电子环境提供了坚实的基础。

在电气特性方面，该MOSFET展现出卓越的开关与导通性能。其最大导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压下仅为8.6毫欧（典型值），这一低阻抗特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，器件具有宽泛的栅极驱动电压范围（4.5V至10V），兼容标准逻辑电平，便于驱动电路设计。其栅极电荷（Qg）最大值控制在53.7nC，结合适中的输入电容，有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。

该产品封装于紧凑的PowerDI5060-8表面贴装封装中，这种封装不仅提供了优异的散热性能，其功率耗散能力在壳温（Tc）条件下可达125W，而且占板面积小，非常适合高密度PCB布局。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在极端温度环境下的稳定运行。连续漏极电流在环境温度（Ta）25°C下为10.8A，而在壳温（Tc）条件下可高达98.4A，展现了强大的电流处理能力。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的DIODES中国代理获取产品与技术支援。

凭借其高耐压、低导通电阻、快速开关以及车规级可靠性，DMTH10H010LPS-13非常适用于要求严苛的汽车电子系统，如电机驱动（水泵、风扇）、LED照明驱动、DC-DC转换器以及电池管理系统（BMS）中的负载开关。其稳健的性能使其同样能胜任工业电源、通信设备等领域的功率开关与转换任务，是工程师在高性能、高可靠性功率设计中的优选器件。

• 型号:DMTH10H010LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.8A（Ta），98.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.6 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2592 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W，125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 现在可以订购DMTH10H010LPS-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。