DMTH10H015LPS-13

DMTH10H015LPS-13是Diodes Incorporated推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级N沟道功率MOSFET，采用先进的PowerDI5060-8封装。该器件基于成熟的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术构建，其核心架构针对高功率密度和高效热管理进行了优化。紧凑的PowerDI5060封装集成了裸露的散热焊盘，能够将芯片产生的热量高效地传导至PCB，从而在有限的占板面积内实现高达46W（Tc）的出色功率处理能力，这使其非常适合空间受限但对可靠性要求极高的汽车电子应用。

该MOSFET的电气性能表现突出，其漏源击穿电压（Vdss）高达100V，为12V或24V汽车电池系统提供了充足的电压裕量，增强了系统的鲁棒性。在导通特性方面，其在10V驱动电压（Vgs）下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至16毫欧（@20A），这一低导通电阻特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为33.3nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），意味着开关过程中的栅极驱动损耗较低，有助于实现更高频率的开关操作并简化驱动电路设计。

在接口与参数层面，DIODES代理商提供的技术资料显示，DMTH10H015LPS-13的驱动电压范围宽泛，栅源电压（Vgs）最大可承受±20V，增强了抗干扰能力。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，确保了与主流微控制器和驱动IC的良好兼容性。该器件在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）为7.3A，而在借助封装良好散热条件下（Tc），电流能力可显著提升至44A，展现了其强大的峰值电流处理潜力。其工作结温范围极宽，为-55°C至175°C，完全满足汽车级电子产品在极端温度环境下的稳定运行要求。

综合其核心架构、优异的电气参数及车规级认证，DMTH10H015LPS-13主要面向对可靠性、效率和功率密度有严苛要求的应用场景。它非常适合用作汽车系统中的负载开关、电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、LED照明驱动以及DC-DC转换器中的同步整流或主开关管。其表面贴装型设计和PowerDI5060封装也使其能够适应自动化贴装生产，提升制造效率，是工程师设计下一代高可靠性汽车电子和工业电源产品的理想功率开关选择。

• 型号:DMTH10H015LPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.3A（Ta），44A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1871 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.3W（Ta），46W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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