DMTH10H015SPS-13

作为一款符合AEC-Q101标准的汽车级功率MOSFET，DMTH10H015SPS-13采用了先进的N沟道MOSFET技术，其核心架构旨在实现高效率与高可靠性的平衡。该器件基于优化的沟槽工艺，在紧凑的PowerDI5060-8封装内集成了高性能的功率开关单元，其设计重点在于降低导通损耗和开关损耗，以满足现代汽车电子系统对功率密度和热管理的严苛要求。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）确保了在极端环境下的稳定运行。

该MOSFET的关键性能体现在其优异的导通电阻特性上，在10V驱动电压、20A漏极电流条件下，其Rds(On)最大值仅为14.5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在30.1nC，有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失，这对于高频开关应用至关重要。其漏源电压（Vdss）额定值为100V，能够从容应对汽车环境中常见的负载突降等电压瞬态事件。

在接口与参数方面，器件提供了灵活的驱动兼容性，标准驱动电压为10V，并能在低至6V的栅极电压下实现完全导通，这为与多种控制器直接连接提供了便利。其连续漏极电流能力在壳温（Tc）条件下高达50.5A，展现出强大的电流处理能力。紧凑的表面贴装PowerDI5060封装不仅优化了PCB空间占用，其良好的热性能设计（最大功率耗散55W @ Tc）也有效提升了散热效率。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的DIODES一级代理获取产品与相关服务。

基于上述特性，DMTH10H015SPS-13非常适用于要求高可靠性和高效率的汽车电子应用场景。典型应用包括电机驱动控制，如电动助力转向（EPS）、风扇和泵的控制；以及DC-DC转换器中的主开关或同步整流，特别是在48V轻度混合动力系统或12V电源网络中。此外，其优异的性能也使其成为工业电源、电池管理系统（BMS）和负载开关等领域的理想选择。

• 型号:DMTH10H015SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.4A（Ta），50.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2343 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta），55W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
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