DMTH10H025SK3-13

作为Diodes Incorporated旗下符合AEC-Q101标准的汽车级产品系列成员，DMTH10H025SK3-13是一款采用先进沟槽工艺技术制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构旨在实现低导通损耗与高开关效率的平衡，通过优化的单元设计有效降低了导通电阻（Rds(On)）和栅极电荷（Qg），这对于提升系统整体能效和降低热损耗至关重要。该器件采用TO-252（D-Pak）表面贴装封装，具有良好的功率处理能力和散热特性，便于在紧凑的PCB布局中实现高功率密度设计。

在电气性能方面，该MOSFET具备100V的漏源击穿电压（Vdss），确保了在常见48V或以下总线电压应用中的安全裕量。其导通电阻典型值在10V驱动电压（Vgs）、20A漏极电流（Id）条件下仅为23毫欧，这一低Rds(On)特性直接转化为更低的传导损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）低至21.4nC @ 10V，结合较低的输入电容（Ciss），有助于减少开关过程中的驱动损耗和开关延迟，从而提升高频开关性能，简化驱动电路设计。其栅源电压（Vgs）耐受范围达±20V，提供了较强的抗栅极噪声干扰能力。

该器件在宽温范围内保持稳定工作，结温（Tj）范围覆盖-55°C至175°C，能够适应汽车电子等严苛环境下的温度波动。其标称连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下高达46.3A，展现了强大的电流处理能力。这些参数共同构成了其高可靠性、高效率的核心特点。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方DIODES授权代理获取完整的技术资料、样品以及批量采购支持。

基于其稳健的电气规格和汽车级认证，DMTH10H025SK3-13非常适用于对可靠性和效率有高要求的应用场景。典型应用包括汽车领域的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、LED照明驱动、DC-DC转换器中的同步整流或主开关，以及工业电源和电池管理系统（BMS）中的负载开关。其优异的性能使其成为在空间受限且需要处理中高功率的场合下的理想选择。

• 型号:DMTH10H025SK3-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 46.3A TO252 T\\u0026R
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):46.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1544 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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