DMTH32M5LPSQ-13

作为一款面向严苛汽车电子环境设计的功率开关器件，DMTH32M5LPSQ-13采用了先进的沟槽式MOSFET架构。这种架构通过优化单元密度和沟槽结构，在单位面积内实现了极低的导通电阻（R_DS(on)），从而显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。其N沟道设计确保了在正向开关应用中的高效电流控制能力，为系统设计提供了可靠的基础。

该器件的核心优势在于其卓越的电气性能与鲁棒性的结合。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻典型值低至2.2毫欧（@30A），这一特性对于大电流路径上的压降和热管理至关重要。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值仅为68nC，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有助于提升高频开关电源等应用的效率。器件具备高达±16V的栅源电压耐受范围，增强了驱动电路的抗干扰能力和设计灵活性。

在接口与关键参数方面，DMTH32M5LPSQ-13定义了明确的操作边界。其漏源击穿电压（V_DSS）为30V，适用于常见的12V或24V汽车总线系统。在壳温（T_C）条件下，其连续漏极电流（I_D）额定值高达170A，展现了强大的电流处理能力。封装采用了热性能优异的PowerDI5060-8表面贴装形式，该封装具有极低的热阻，有助于将芯片产生的热量高效传导至PCB，结合其高达100W（T_C）的功率耗散能力，确保了器件在高温环境下的稳定运行。其结温工作范围宽达-55°C至175°C，完全满足AEC-Q101汽车级可靠性标准的要求，这也是选择可靠DIODES代理商进行采购时的重要质量依据。

基于上述特性，该MOSFET非常适合应用于对效率和可靠性要求极高的汽车电子领域。其主要应用场景包括发动机控制单元（ECU）中的负载驱动、48V/12V双向DC-DC转换器、电机驱动控制（如风扇、泵类）、以及先进的启停系统和电池管理系统（BMS）中的高边或低边开关。在这些应用中，其低导通电阻、高电流能力、快速的开关特性以及符合车规的可靠性，能够有效提升系统能效，减少热量产生，并保障在车辆整个生命周期内的稳定运行。

• 型号:DMTH32M5LPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 170A PWRDI5060-8
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):170A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.2 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3944 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.2W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• 现在可以订购DMTH32M5LPSQ-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。