DMTH4005SCT

在功率转换与电机控制等要求高电流处理能力的应用中，DMTH4005SCT是一款值得关注的高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术构建，其核心设计旨在实现极低的导通损耗与高效的开关性能。其N沟道结构在10V栅极驱动电压下，能够提供优异的导通特性，为系统设计师在提升效率与降低热管理复杂度方面提供了坚实的基础。

该器件的突出特性在于其卓越的电流承载能力与极低的导通电阻。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流额定值高达100A，而导通电阻在50A电流、10V栅极电压下最大值仅为4.7毫欧。这种低Rds(On)特性直接转化为更低的传导损耗，对于提升电池供电设备的工作时间或降低散热系统要求至关重要。同时，其栅极电荷最大值被控制在49.1nC，这有助于降低开关过程中的驱动损耗，实现更快的开关速度，从而优化高频应用中的整体效率。

在电气参数与接口方面，DMTH4005SCT提供了稳健的操作窗口。其漏源击穿电压为40V，适用于常见的12V或24V总线系统。栅源电压最大额定值为±20V，提供了充足的驱动裕量。器件采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和成熟的散热安装方式。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，并符合AEC-Q101标准，这使其不仅适用于工业与消费电子领域，更能满足汽车电子应用中对可靠性与环境适应性的严苛要求。如需获取稳定的供货与技术支援，可通过官方DIODES授权代理渠道进行采购。

基于其高电流、低损耗和汽车级的可靠性，该MOSFET非常适合作为核心开关元件，广泛应用于汽车系统中的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、DC-DC转换器、电池保护电路以及工业电源和电机控制模块。在这些场景中，其强大的性能有助于构建更紧凑、更高效且更可靠的功率电子解决方案。

• 型号:DMTH4005SCT
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.7 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:49.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3062 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3
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